11 月 12 日消息，TrendForce 集邦咨詢表示，在極度罕見的市場環(huán)境下，DRAM 內(nèi)存顆粒 (Die) 的報(bào)價(jià)已經(jīng)超越相同容量的內(nèi)存條（模組，Module）報(bào)價(jià)，且價(jià)差巨大。

　　過去七天，DRAM 內(nèi)存市場在惜售心態(tài)濃厚的氛圍下，DDR4 與 DDR5 的價(jià)格延續(xù)先前數(shù)周的上揚(yáng)走勢，但由于市場中的供應(yīng)量非常有限，因此成交量處于低水位。

　　機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，未來短期內(nèi)現(xiàn)貨市場的模組價(jià)格將快速上升，收斂與顆粒間的價(jià)差。主流顆粒 DDR4 1Gx8 3200MT/s 在本周的價(jià)格漲幅為 7.10%，由 11.071 美元上漲至 11.857 美元。

　　而在 NAND 閃存晶圓部分，受合約市場強(qiáng)勢拉動(dòng)，現(xiàn)貨市場氛圍進(jìn)一步升溫，價(jià)格上漲幅度及報(bào)價(jià)頻率均顯著增加。由于中小型買家難以直接獲得原廠貨源，現(xiàn)貨市場采購的需求明顯增溫。然而，現(xiàn)貨供應(yīng)同樣相對稀缺，持貨商普遍看好后市走勢，延后出貨、惜售情緒濃厚，導(dǎo)致成交量有限但價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)。

　　本周 512Gb TLC 晶圓現(xiàn)貨價(jià)格上漲 17.07%，單價(jià)達(dá) 6.455 美元。機(jī)構(gòu)預(yù)期短期內(nèi)現(xiàn)貨市場仍將維持緊俏格局，價(jià)格上行動(dòng)能有望延續(xù)至明年一季度；但如果合約價(jià)漲幅過快或終端需求延后，現(xiàn)貨熱度可能于 2026 年初略有降溫。